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「電子部品 - MOSFETの閾値電圧」の版間の差分
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→MOSFETのID-VGS特性から必要なゲート-ソース間電圧VGSを求める
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ここで、伝達特性(I<sub>D</sub>-V<sub>GS</sub>特性)を見ると、V<sub>DS</sub>=10[V]の条件は電気的特性欄の測定条件と一致している。<br> | ここで、伝達特性(I<sub>D</sub>-V<sub>GS</sub>特性)を見ると、V<sub>DS</sub>=10[V]の条件は電気的特性欄の測定条件と一致している。<br> | ||
この伝達特性(I<sub>D</sub>-V<sub>GS</sub>特性)より、例えば、5[A]のドレイン電流I<sub>D</sub>を流す場合、Ta=25[℃]では、ゲート-ソース間電圧V<sub>GS</sub>は約3.3[V]必要であることが分かる。<br> | この伝達特性(I<sub>D</sub>-V<sub>GS</sub>特性)より、例えば、5[A]のドレイン電流I<sub>D</sub>を流す場合、Ta=25[℃]では、ゲート-ソース間電圧V<sub>GS</sub>は約3.3[V]必要であることが分かる。<br> | ||
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次に、この時のオン抵抗R<sub>ON</sub>を求める。<br> | 次に、この時のオン抵抗R<sub>ON</sub>を求める。<br> | ||
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なお、ゲート-ソース間電圧V<sub>GS</sub>を高くする場合、ゲート-ソース間電圧V<sub>GS</sub>に加わるサージを加味して、下図の絶対最大定格のV<sub>GSS</sub>を超えないように設計すること。<br> | なお、ゲート-ソース間電圧V<sub>GS</sub>を高くする場合、ゲート-ソース間電圧V<sub>GS</sub>に加わるサージを加味して、下図の絶対最大定格のV<sub>GSS</sub>を超えないように設計すること。<br> | ||
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<u>※補足</u><br> | <u>※補足</u><br> | ||