13,005
回編集
「電子部品 - MOSFETの閾値電圧」の版間の差分
ナビゲーションに移動
検索に移動
→MOSFETの閾値電圧Vthは温度によって変化する
| 65行目: | 65行目: | ||
また、下図より、温度T<sub>C</sub>が高くなると閾値電圧V<sub>th</sub>が低下することが分かる。<br> | また、下図より、温度T<sub>C</sub>が高くなると閾値電圧V<sub>th</sub>が低下することが分かる。<br> | ||
つまり、温度T<sub>C</sub>が高いほど閾値電圧V<sub>th</sub>が低下するため、より低いゲート-ソース間電圧V<sub>GS</sub>でドレイン電流I<sub>D</sub>を多く流せるということになる。<br> | つまり、温度T<sub>C</sub>が高いほど閾値電圧V<sub>th</sub>が低下するため、より低いゲート-ソース間電圧V<sub>GS</sub>でドレイン電流I<sub>D</sub>を多く流せるということになる。<br> | ||
[[ファイル:ErectricParts MOSFET Threshold 4.jpg|フレームなし|中央]] | |||
<br> | <br> | ||
<u>※補足</u><br> | <u>※補足</u><br> | ||