13,002
回編集
「トランジスタ - トランジスタの特性」の版間の差分
ナビゲーションに移動
検索に移動
→トランジスタの入力特性(IB-VBE特性)
| 69行目: | 69行目: | ||
<br><br> | <br><br> | ||
== | == 入力特性(I<sub>B</sub>-V<sub>BE</sub>特性) == | ||
==== 入力特性(I<sub>B</sub>-V<sub>BE</sub>特性)とは ==== | |||
<u>トランジスタの入力特性(I<sub>B</sub>-V<sub>BE</sub>特性)とは、コレクタ-エミッタ間電圧V<sub>CE</sub>を一定とした時における、</u><br> | <u>トランジスタの入力特性(I<sub>B</sub>-V<sub>BE</sub>特性)とは、コレクタ-エミッタ間電圧V<sub>CE</sub>を一定とした時における、</u><br> | ||
<u>ベース電流I<sub>B</sub>とベース-エミッタ間電圧V<sub>BE</sub>の特性のことである。</u><br> | <u>ベース電流I<sub>B</sub>とベース-エミッタ間電圧V<sub>BE</sub>の特性のことである。</u><br> | ||
| 78行目: | 79行目: | ||
シリコンを素材としたシリコントランジスタの場合、ベース-エミッタ間電圧V<sub>BE</sub>が0.6～0.8[V]以上になると、ベース電流I<sub>B</sub>が大きく変化する。<br> | シリコンを素材としたシリコントランジスタの場合、ベース-エミッタ間電圧V<sub>BE</sub>が0.6～0.8[V]以上になると、ベース電流I<sub>B</sub>が大きく変化する。<br> | ||
ゲルマニウムを素材としたゲルマニウムトランジスタの場合、ベース-エミッタ間電圧V<sub>BE</sub>が0.2～0.3[V]以上になると、ベース電流I<sub>B</sub>が大きく変化する。<br> | ゲルマニウムを素材としたゲルマニウムトランジスタの場合、ベース-エミッタ間電圧V<sub>BE</sub>が0.2～0.3[V]以上になると、ベース電流I<sub>B</sub>が大きく変化する。<br> | ||
<br> | |||
== 入力特性(I<sub>B</sub>-V<sub>BE</sub>特性)における温度特性 == | == 入力特性(I<sub>B</sub>-V<sub>BE</sub>特性)における温度特性 == | ||