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「トランジスタ - トランジスタの特性」の版間の差分
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→トランジスタの入力特性(IB-VBE特性)
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== トランジスタの入力特性(IB-VBE特性) == | == トランジスタの入力特性(IB-VBE特性) == | ||
トランジスタの入力特性( | トランジスタの入力特性(I<sub>B</sub>-V<sub>BE</sub>特性)とは、コレクタ-エミッタ間電圧V<sub>CE</sub>を一定とした時における、ベース電流I<sub>B</sub>とベースエミッタ間電圧V<sub>BE</sub>の特性のことである。<br> | ||
[[ファイル:ErectricParts Characteristic 3.jpg|フレームなし|中央]] | |||
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ベースとエミッタ間はPN接合となるため、ダイオードの順方向電圧特性( | ベースとエミッタ間はPN接合となるため、ダイオードの順方向電圧特性(I<sub>F</sub>-V<sub>F</sub>特性)と同じになる。<br> | ||
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シリコンを素材としたシリコントランジスタの場合、ベース- | シリコンを素材としたシリコントランジスタの場合、ベース-エミッタ間電圧V<sub>BE</sub>が0.6～0.8[V]以上になると、ベース電流I<sub>B</sub>が大きく変化する。<br> | ||
ゲルマニウムを素材としたゲルマニウムトランジスタの場合、ベース- | ゲルマニウムを素材としたゲルマニウムトランジスタの場合、ベース-エミッタ間電圧V<sub>BE</sub>が0.2～0.3[V]以上になると、ベース電流I<sub>B</sub>が大きく変化する。<br> | ||
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